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FDC 와 SPC

FDC와 SPC는 반도체, 디스플레이, 정밀 제조 공정에서 공정 품질 관리 및 이상 감지를 위해 사용되는 핵심 기술입니다.


1. FDC (Fault Detection and Classification)

목적
  • 공정 장비 및 제조 공정에서 발생하는 이상 현상(Fault)을 감지하고 원인을 분류(Classification)하는 시스템
  • 주로 반도체, 디스플레이, 정밀 제조 공정에서 활용됨
주요 기능
  • 실시간 데이터 모니터링
    • 센서에서 온도, 압력, 전류, 가스 흐름 등의 데이터를 실시간으로 수집
  • 이상 감지 (Fault Detection)
    • 정상 공정 패턴과 비교하여 이상 징후가 발생하면 경고 발생
  • 이상 원인 분석 (Classification & Root Cause Analysis)
    • 머신러닝, 통계 기법 등을 이용하여 이상 발생 원인 분석
  • 공정 최적화
    • 반복적인 이상 발생 시 공정 개선을 위한 피드백 제공
적용 예
  • 반도체 제조 공정에서 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비의 온도 변화 이상 감지
  • 웨이퍼 가공 중 챔버 내 압력 이상 감지 및 원인 분석
  • 챔버(Chamber)는 반도체, 디스플레이, 정밀 제조 공정에서 진공, 가스, 플라즈마 등의 환경을 조성하여 특정 공정을 수행하는 밀폐된 공간입니다.

2. SPC (Statistical Process Control, 통계적 공정 관리)

목적
  • 제조 공정에서 통계적 기법을 이용하여 품질을 관리하고 변동을 최소화
  • 제어 한계(Control Limits)를 설정하여 이상 여부를 판단
주요 기능
  • 공정 데이터 수집
    • 샘플링 데이터(온도, 압력, 두께 등) 수집
  • 통계적 분석
    • 평균(mean), 표준편차(σ), 공정 능력 지수(Cp, Cpk) 등을 계산
  • 제어도(Control Charts) 활용
    • X̄-R Chart, X̄-S Chart, P-Chart 등으로 공정 이상 감지
  • 공정 이상 감지 및 조치
    • 이상 발생 시 원인 분석 후 공정 조정
적용 예
  • 반도체 웨이퍼 두께의 평균 및 변동을 감시하여 공정 이상 탐지
  • PCB 기판 제조에서 솔더 페이스트 도포 두께 관리

3. FDC와 SPC의 차이점 및 활용

구분 FDC (Fault Detection & Classification) SPC (Statistical Process Control)
목적 공정 이상 감지 및 원인 분석 공정 변동 감시 및 품질 관리
방법 센서 데이터 분석, 머신러닝, 패턴 인식 통계적 기법(X̄-R Chart, Cp/Cpk 분석 등)
적용 분야 반도체 장비, 공정 이상 탐지 품질 관리, 공정 최적화
결과 이상 발생 시 원인 분석 및 대응 품질 변동을 최소화하여 안정적인 생산 유지

4. FDC + SPC 통합 활용

  • FDC는 이상 감지 및 원인 분석에 초점, SPC는 장기적인 품질 관리에 초점
  • 두 기법을 함께 사용하면 실시간 이상 감지 + 장기적인 품질 관리가 가능
예제 시나리오 (반도체 공정)
  • SPC로 공정 데이터 모니터링 → 공정 변동이 증가하면 경고
  • FDC로 원인 분석 → 특정 장비 센서 값 이상 감지
  • 대응 조치 → 장비 유지보수 또는 공정 조건 최적화

FDC 적용 사례: PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정

📌 상황:
PECVD 장비는 웨이퍼 위에 절연막(실리콘 산화물, 질화막 등)을 증착하는 장비입니다. 이 과정에서 가스 유량, 챔버 압력, 플라즈마 파워 등의 변수가 매우 중요한데, 작은 이상이 발생해도 증착 균일도가 떨어져 불량이 발생할 수 있습니다.

✅ 적용된 FDC 기법
  • 센서 데이터 수집: 챔버 내부의 온도, 가스 유량, 압력, 플라즈마 파워 등 실시간 모니터링
  • 머신러닝 기반 이상 감지: 정상 공정 패턴과 비교하여 특정 변수(예: 가스 유량 급격한 변화)가 발생하면 이상 감지
  • 이상 원인 분석
    • 가스 유량이 정상보다 낮아졌다면 Mass Flow Controller (MFC) 고장 가능성
    • 플라즈마 파워 변동이 심하면 RF 전원 불안정 문제
    • 챔버 압력이 비정상적으로 높다면 펌프 시스템 이상
🎯 결과
  • 이상 감지 후 즉시 공정을 중단하여 불량 웨이퍼 생산 방지
  • 장비 유지보수 예측(Predictive Maintenance) 가능
공정 장비 및 제조 공정에서 발생하는 이상 현상(Fault)을 감지하고 원인을 분류(Classification)하는 시스템
공정 장비 및 제조 공정에서 발생하는 이상 현상(Fault)을 감지하고 원인을 분류(Classification)하는 시스템

SPC 적용 사례: CMP(Chemical Mechanical Planarization) 공정

📌 상황
CMP 공정은 웨이퍼 표면을 평탄화하는 과정으로, 슬러리(연마액) 공급량, 패드 상태, 압력 등이 품질에 큰 영향을 미칩니다.
공정 중 변수가 일정 범위를 벗어나면 불량률이 급증할 수 있습니다.
✅ 적용된 SPC 기법
  • 제어도(Control Chart) 분석
    • 웨이퍼 두께 변화를 X̄-R Chart로 모니터링
    • Cpk(공정 능력 지수) 분석을 통해 공정이 정상 범위 내 유지되는지 확인
  • 공정 이상 탐지
    • 평균 두께가 점진적으로 줄어드는 패턴을 보이면 슬러리 공급량 감소 문제 가능성
    • 특정 로트에서 두께 편차가 커지면 패드 마모 심화 가능성
  • 대응 조치
    • 슬러리 공급 시스템 점검 및 조정
    • 패드 교체 주기 조정
🎯 결과
  • 공정 변동이 심해지기 전에 사전 대응 가능
  • 웨이퍼 두께 균일도를 개선하여 불량률 감소
제조 공정에서 통계적 기법을 이용하여 품질을 관리하고 변동을 최소화.제어 한계(Control Limits)를 설정하여 이상 여부를 판단.
제조 공정에서 통계적 기법을 이용하여 품질을 관리하고 변동을 최소화.
제어 한계(Control Limits)를 설정하여 이상 여부를 판단

FDC + SPC 통합 적용 사례: Etch(식각) 공정

📌 상황
반도체 식각 공정에서는 플라즈마를 이용해 웨이퍼 표면의 특정 영역을 제거합니다.
공정 변수(플라즈마 파워, 가스 유량, 챔버 압력 등)가 미세하게 변해도 식각 깊이가 달라져 불량이 발생할 수 있습니다.
✅ 통합된 FDC & SPC 기법
  • SPC로 공정 모니터링
    • 웨이퍼 식각 깊이 데이터를 X̄-S Chart로 분석하여 이상 변동 감지
    • 공정 능력 지수(Cpk)가 감소하면 공정 변동성이 증가한 것으로 판단
  • FDC로 원인 분석
    • 식각 깊이가 점점 얕아지는 경우 → 플라즈마 파워 저하 가능성
    • 특정 웨이퍼에서만 깊이가 다르면 → 가스 유량 불안정 문제
  • 대응 조치
    • 플라즈마 파워 소스 점검 및 유지보수 수행
    • 가스 유량 조절 밸브 교체
🎯 결과
  • FDC를 활용하여 이상 감지 및 신속한 원인 분석
  • SPC를 활용하여 장기적인 공정 품질 유지

FDC와 SPC를 함께 적용하면?

  • FDC: 실시간 이상 감지 및 원인 분석 → 즉각적인 조치 가능
  • SPC: 장기적인 공정 변동 감시 및 품질 유지 → 공정 안정성 확보
  • 결과적으로 반도체 공정의 수율을 높이고 불량률을 낮추는 데 필수적인 기술이 됩니다.


😊 SPC(Statistical Process Control, 통계적 공정 관리)에서 X̄-R Chart, X̄-S Chart, P-Chart 등은 공정 데이터를 분석하여 이상 여부를 감지하는 대표적인 제어도(Control Chart)입니다. 각각의 차트가 어떤 원리로 공정 이상을 감지하는지  설명하겠습니다.

SPC에서 사용하는 X̄-R Chart, X̄-S Chart, P-Chart를 시각적으로 표현한 것입니다.
SPC에서 사용하는 X̄-R Chart, X̄-S Chart, P-Chart를 시각적으로 표현한 것입니다.
  • X̄ Chart: 샘플 평균(X̄)의 변화를 보여주며, 상한(UCL)과 하한(LCL)을 벗어나면 공정 이상을 감지합니다.
  • S Chart: 샘플의 표준편차(S) 변화를 감시하여 공정 변동성을 분석합니다.
  • P Chart: 불량률(P)이 기준 한계를 초과하는 경우 공정 이상으로 판단합니다.

1. X̄-R Chart (X바 – R 관리도)

📌 개요:

  • X̄(엑스바) Chart: 샘플 그룹의 평균을 추적
  • R(Range) Chart: 샘플 그룹의 범위(최대값 – 최소값) 를 추적
  • 주로 소규모 샘플(2~10개) 로 공정 변동성을 감시할 때 사용
✅ 공정 이상 감지 원리:
  • X̄ Chart 분석
    • 중심선(CL, Central Line): 샘플 평균의 장기적인 평균
    • 상한 관리 한계(UCL, Upper Control Limit), 하한 관리 한계(LCL, Lower Control Limit)
    • 샘플 평균이 UCL/LCL을 벗어나면 공정 이상 발생
  • R Chart 분석
    • 개별 샘플 내 변동성이 너무 크면 공정 불안정 신호
    • R 값이 갑자기 커지면 계측기 오작동 또는 공정 이상 가능성
🎯 적용 예제 (웨이퍼 두께 관리)
  • 5개의 웨이퍼 두께를 샘플링하여 평균과 범위를 기록
  • 평균 두께가 서서히 줄어들면 증착 공정의 가스 유량 이상 가능성

2. X̄-S Chart (X바 – S 관리도)

📌 개요:
  • X̄ Chart: 샘플 그룹의 평균을 모니터링
  • S(Standard Deviation) Chart: 샘플의 표준편차(σ, Standard Deviation) 를 모니터링
  • 샘플 크기가 클 때(10개 이상) 사용
  • R Chart보다 정밀한 변동성 분석 가능
✅ 공정 이상 감지 원리:
  • X̄ Chart 분석 → 샘플 평균이 점점 이상 범위로 벗어나는지 확인
  • S Chart 분석 → 표준편차(σ)가 일정 범위를 벗어나면 공정 변동 증가
🎯 적용 예제 (포토리소그래피 패턴 크기 관리)
  • 웨이퍼 패턴 크기를 15개씩 샘플링하여 X̄-S 관리도 작성
  • 표준편차(S) 값이 점점 커지면 공정 불안정 → 노광 장비 초점 이상 가능

3. P-Chart (비율 관리도, Proportion Chart)

📌 개요:
  • 불량품 비율을 추적하는 제어도
  • 제품이 합격/불합격(양품/불량품)으로 구분되는 경우 사용
  • 샘플 크기가 일정하지 않아도 적용 가능
✅ 공정 이상 감지 원리:
  1. 불량률 계산 → 주기적으로 샘플을 검사하고 불량 비율 계산
  2. UCL/LCL 설정 → 기준을 벗어나면 공정 이상
  3. 점진적인 증가 감지 → 특정 로트에서 불량률이 증가하면 공정 문제 가능
🎯 적용 예제 (반도체 패키징 검사)
  • 하루에 100개의 반도체 칩을 검사하여 불량 비율을 기록
  • 특정 날짜 이후 불량률이 급증하면 장비 세정 문제 가능

비교 요약
제어도 종류 분석 대상 사용 조건 적용 예제
X̄-R Chart 샘플 평균 & 범위 소규모 샘플(2~10개) 웨이퍼 두께, 금속 증착량
X̄-S Chart 샘플 평균 & 표준편차 대규모 샘플(10개 이상) 포토리소그래피 패턴 크기
P-Chart 불량품 비율 합격/불합격으로 구분되는 제품 반도체 패키징 검사

 


🔥 결론: 어떻게 활용하면 좋을까?
  • X̄-R Chart → 공정이 안정적인지 빠르게 판단
  • X̄-S Chart → 공정 변동성이 높은 경우 정확한 분석 가능
  • P-Chart → 불량률을 모니터링하여 장기적인 품질 개선

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